Samsung, dünyanın ilk 900 katmanlı V-NAND flaş bellek çipi prototipini geliştirdi. Prototipte, Cell Multi-Bonding (CMB) yöntemiyle iki adet 450 katmanlı hücre wafer’ı birleştirilerek tek bir NAND çipi oluşturuldu.
Katman sayısındaki artış depolama yoğunluğunu artırırken güç tüketimini düşürüyor. Bu yapı özellikle yapay zeka sunucuları ve veri merkezleri için avantaj sağlıyor.
Samsung, 400 katmanlı 10. nesil NAND çiplerinin seri üretimine hazırlanırken, 900 katman seviyesine araştırma aşamasında ulaştı. Şirketin, artan katman sayısıyla oluşan wafer eğilmesi ve hizalama sorunlarını Upper Chuck tasarımı ve Overlay Correction teknolojileriyle çözdüğü belirtiliyor.
Ayrıca Bitline ve Wordline mimarisindeki geliştirmelerle güç tüketimi azaltılırken çip boyutu küçültüldü. NAND pazarında SK Hynix 321 katmanlı çözümleriyle öne çıkarken, YMTC de 294 katmanlı NAND çiplerinin seri üretimine başladı.
