Samsung, 12 katmanlı HBM4E belleğin örneklerini müşterilere göndermeye başladı. Yeni bellek, önceki nesil HBM4 ürünlerine göre yüzde 20’den fazla performans artışı sunuyor.
Üründe Samsung’un altıncı nesil 10 nanometre sınıfı 1c DRAM süreci ve Samsung Foundry tarafından üretilen 4 nanometre mantık taban katmanı kullanılıyor.
Samsung, HBM4 ürünlerinin örnek sevkiyatına Şubat ayında başlamasının ardından HBM4E örneklerini de kısa sürede müşterilere ulaştırdı. Şirket, HBM4E örneklerini yılın ikinci çeyreğinde göndermeyi planladığını daha önce açıklamıştı.
HBM bellekler, büyük dil modelleri, yapay zeka eğitimi ve yüksek performanslı bilgi işlem uygulamalarında kullanılıyor.
Samsung, HBM pazarında SK Hynix ve Micron ile rekabet ediyor. Counterpoint Research verilerine göre 2025’in dördüncü çeyreğinde küresel HBM pazarında SK Hynix yüzde 57 ile ilk sırada, Samsung yüzde 22 ile ikinci sırada, Micron ise yüzde 21 ile üçüncü sırada yer aldı.
